大尺寸半導體硅單晶材料獲得突破，毫無疑問，決對能夠加速我國芯片行業(yè)發(fā)展！

眾所周知，我國在芯片制造行業(yè)是落后的，現在舉全國之力發(fā)展芯片行業(yè)，就是想在芯片領域有所成就！目前我國芯片領域急需要解決的是高技術材料、芯片制造、制造芯片的設備“光刻機”。一、芯片制造急需的高技術材料已解決。

西安理工大學劉丁教授團隊和西安奕斯偉硅片技術有限公司緊密協作，共同研制，新一代大尺寸集成電路硅單晶生產設備，在西安實現試產成功。大尺寸半導體硅單晶材料，也是制約我國集成電路產業(yè)發(fā)展的“卡脖子”問題。這次成功研制出直徑300毫米、長度2100毫米的高品質硅單晶材料。歷史性突破，國內自主研發(fā)的國產裝備實現了拉制成功大尺寸、高品質集成電路級硅單晶材料。在該領域實現突破，對滿足我國集成電路產業(yè)發(fā)展意義重大。

二、芯片制造產業(yè)鏈的四個工藝環(huán)節(jié)，設計、測試、封裝、制造，我們都達到了世界最先進的水平。

1、設計有華為海思這個世界級芯片企業(yè)，目前成績斐然，已經超過了美國的高通和英特爾，站在了世界最高峰。

2、測試、封裝環(huán)節(jié)有長電科技、通富微電等世界級先進企業(yè)；前段時間長電科技有限公司也取得了好成績，測試、封裝上達到世界一流水平。

3、芯片制造的中芯國際也傳來好消息，梁孟松任CEO后大搞技術研發(fā)，改革制造工藝，只用短短三年時間，28nm、14nm、12nm及n+1等技術均已進入規(guī)模量產，7nm技術的開發(fā)也已經完成，明年四月就可以馬上進入風險量產···5nm和3nm的最關鍵最艱巨的8大項技術也已經有序展開，只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發(fā)階段”。“從28nm到7nm”,共五個世代的技術開發(fā)只用了三年，這是國際上任何一個公司都不可能完成的事情！恰恰梁孟松帶領中芯技術人員完成了！

三、芯片制造的設備“光刻機”目前還沒有達到世界先進水平。據可靠消息，中國科學院目前正組織專家教授團隊攻克這一難關，相信不久就會傳來好消息！

隨著我國對集成電路領域的大力支持和專研，將來還會有更多的突破和成功！只有自己掌握了真正的核心技術才能不再受制于人！大尺寸半導體硅單晶材料獲得突破，毫無疑問，在加速我國芯片行業(yè)發(fā)展當中起到了至關重要的作用！

希望全國人民在黨中央領導下，上下齊心、擼起袖子、甩開膀子努力拼搏，加油！加油！高端芯片很快成功。

此前華為被美國禁令限制后處處碰壁的困境，已經向我們展示了半導體技術滯后帶來的嚴重后果。沒有自己的技術，缺乏足夠的產能，在芯片方面就會處處受制于人。

目前我國在芯片上遭遇的難題主要有三個方面：

1高品質原料“單晶硅”產能不足2芯片制造工藝落后3缺少芯片制造設備——光刻機

一直以來，我國單晶硅產能不足，主要依賴于進口，這是嚴重制約我國集成電路產業(yè)發(fā)展的“卡脖子”問題。

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先來說說“單晶硅”。

單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性，是一種廣泛應用于半導體相關行業(yè)的重要材料。

雖說單晶硅的制備工藝并不復雜，但是其純度和性能對于生產工藝要求極高，我國目前單晶硅生產技術相較于日本和歐美仍有較大差距。

我國雖然也有自己的單晶硅產線，但其中一些關鍵設備，如單晶硅生長設備大多是從國外進口。

產能低下，缺乏核心技術，這也是我們目前不得不依賴于進口的原因。

近日，由西安理工和奕斯偉共同研制的國內首臺大尺寸硅單晶生長設備實現一次試產成功，開發(fā)出直徑300毫米、長度2100毫米的高品質單晶硅材料。

這意味著什么呢？

我們掌握了屬于自己的單晶硅生長設備制造技術，意味著中國打破了美國方面的技術封鎖，至少在原材料這一塊，中國不會再受制于人。

今后我國將不再主要依賴于進口，能夠實現自主量產高品質單晶硅，對我國半導體行業(yè)發(fā)展意義重大。

中國人聰明智慧，會有幫助的。