“自行量產(chǎn)”，就是自主量產(chǎn)或者自主生產(chǎn)的意思吧，“12nm以下”一定是12nm到7nm，直至5、3nm以下。

其實應(yīng)該是“28nm以下”。已知，我國早就能獨立自主地量產(chǎn)28nm以上的芯片，因為在2016年自主制造出了90nm的低端國產(chǎn)光刻機。后來，中芯國際在2017年到2020年的三年余時間里，接連研發(fā)出了28nm、14nm、12nm、n+1和7nm這 5 個世代的工藝技術(shù)，其中，前 4 個都實現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn)，28nm還持續(xù)擴大產(chǎn)能了呢，卻都不是自主性質(zhì)的，因為研發(fā)和量產(chǎn)所依靠的光刻機和其它工藝設(shè)備、零配件、原材料這些東西分別是荷蘭和美國提供的，我們國內(nèi)還沒有實現(xiàn)國產(chǎn)替代。正因為不是自主量產(chǎn)，12nm和n+1的規(guī)模量產(chǎn)在2020年戛然中止，至今也沒有恢復，7nm技術(shù)到現(xiàn)在連風險量產(chǎn)都沒有進入，只剩下28和14nm至今還在被“例外”著；也正因為不是自主量產(chǎn)，中芯國際才不得不執(zhí)行美國的新產(chǎn)品規(guī)則，不再給華為代工自研的14nm芯片了，如麒麟710A。

12到7nm芯片在2025年應(yīng)該能自主量產(chǎn)。按在網(wǎng)上一直持續(xù)的一致性消息，特別是中科院在兩年前的肯定性預計，國產(chǎn)化的DUV中端光刻機能很快投入商用，我估計在2025年之前一定能，至于難度比DUV光刻機低不少或低很多的其他工藝設(shè)備和零配件、原材料的“三化”，即國產(chǎn)化、中端化和商用化，當然都能更快。中芯國際只要、也只有依靠上來源自我們國內(nèi)的這些關(guān)鍵核心東西，才能自主量產(chǎn)12到7nm的芯片，包括自由地給華為量產(chǎn)7nm的手機用自研芯片，還可以自由地給華為量產(chǎn)7nm以下的自研芯片，因為華為現(xiàn)在就自主地擁有了更為先進的堆疊封裝技術(shù)。

5到3nm芯片只會在2030年以后才能自主量產(chǎn)。因為在2030年之前，傳統(tǒng)技術(shù)路線的國產(chǎn)EUV光刻機才有可能造出來，如果到時候真的造出來了，才意味著我們一個國就擁有了一整條高端又自主可控的芯片技術(shù)鏈產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈，盡管還媲美不了美國那時主導的多個國長期以來合建的那一條。說來，這是樂觀的估計，可能會晚一些，急不來的，雖然一定是在“上下大力支持”的情況下，雖然我們國內(nèi)在EUV光刻機等高端工藝設(shè)備以及零配件、原材料上，現(xiàn)在就已經(jīng)有了一定的技術(shù)積累。

只要是梁孟松不離開中芯國際，那么我們自行量產(chǎn)12nm工藝技術(shù)的芯片只是時間問題。

目前來說，涉及到我國消費電子領(lǐng)域的芯片，國產(chǎn)化程度最高的也就是中芯國際在之前給華為代工的麒麟710a。這款芯片采用的是中芯國際14nm工藝技術(shù)，由于當時代工生產(chǎn)的時候，美國的對于華為的禁令還沒有到第四輪，所以這款芯片是含有少量美國技術(shù)的。

現(xiàn)在我們半導體領(lǐng)域，主要的難點就是技術(shù)跟設(shè)備材料。

尤其是涉及到民用芯片上面，民用芯片追求的就是工藝、性能跟能耗比。就拿手機芯片來說，現(xiàn)在手機芯片的工藝發(fā)展速度非常快，基本上半年就推出新架構(gòu)和新工藝，由于不同代工廠商的技術(shù)優(yōu)化不同，所以現(xiàn)在各個半導體大廠都在不斷優(yōu)化性能跟能效之間的平衡。

新架構(gòu)跟新工藝的不斷更新，所帶來的就是材料跟高精度設(shè)備的不斷更新。

就目前來說，國際上主流的芯片制造設(shè)備就是asml公司生產(chǎn)的EUV光刻機，這種光刻機可以支撐起來5nm、3nm這種先進制程工藝的芯片制造。而我國目前已知的光刻機，就是上海微電子生產(chǎn)的產(chǎn)品，只能支撐起90nm工藝的產(chǎn)品制造。

本來中芯國際是我國最有可能在短時間內(nèi)追平三星、臺積電，并且有望實現(xiàn)自主技術(shù)生產(chǎn)的廠商。但是在2020年年底，美國把中芯國際列入實體清單，封禁了10nm及以下技術(shù)節(jié)點所需的設(shè)備和材料。

美國的禁令，對于中芯國際的發(fā)展來說阻力非常大。中芯國際發(fā)展最快速的時候，就是從2017年梁孟松加入開始的。

當時梁孟松帶領(lǐng)著團隊用了不到1年的時間，把中芯28nm的良品率提升到了85%以上。隨后又用了兩年左右的時間，讓中芯國際的14nm技術(shù)成功量產(chǎn)商用，緊接著又投入到7nm、5nm以及n+1技術(shù)的發(fā)展當中。

一邊發(fā)展新技術(shù)，一邊在28nm這種老舊的工藝上面，開始采用國產(chǎn)供應(yīng)鏈進行生產(chǎn)制造，逐步發(fā)展去美化路線。

中芯國際的28nm生產(chǎn)線基本已經(jīng)不怎么依靠美國的技術(shù)了，國內(nèi)的供應(yīng)鏈足夠應(yīng)付得過來。而且中芯國際已經(jīng)掌握了7nm這種先進制程工藝的主要技術(shù)手段，現(xiàn)在只要解決了EUV光刻機的問題，那么中芯國際就可以對這種先進工藝進行制造測試。

12nm在現(xiàn)在來說，已經(jīng)不屬于先進制程工藝了。所需要的設(shè)備也不會只卡著EUV光刻機了，用DUV光刻機進行制造就足夠了。

荷蘭asml公司在光刻機的進出口上面，對我國一直是處于開放的態(tài)度。但是美國一直在給荷蘭政府施壓，所以現(xiàn)在就連幾年前的DUV光刻機，我國也很難從asml公司手里面購買到。

現(xiàn)在的情況就是，中芯國際已經(jīng)掌握了12nm節(jié)點的技術(shù)工藝，只要是解決了光刻機跟其他材料的問題，那么我們就可以開始進行測試生產(chǎn)，從而進一步發(fā)展去美化路線。

只要有光刻機，很快就可以。關(guān)健是美國作梗14nm以下光刻機我國現(xiàn)在還買不到。好消息是純國產(chǎn)28nm光刻機正在研制中，而且快成功了，到那時70%的應(yīng)用場景有28nm就夠了。不過要國產(chǎn)14nm光刻機難度挺大，恐怕三兩年做不到，7nm就更難了。